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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器
MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類(lèi)| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
PVMI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)光伏探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式改善器件的參數(shù)，以達(dá)到好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測(cè)器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。
● 可探測(cè)中紅外光波范圍 2-13μm
● 可配專(zhuān)用前置放大器
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi)，有效提升探測(cè)效率
● 帶有防反射涂層窗口鏡，避免不必要的干擾
● 帶有四級(jí)TE冷卻，有效提高探測(cè)效率
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 |
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 6.4±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
4TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
4TE-TO66封裝尺寸圖
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
參量 | 數(shù)值 |
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 7.45±0.4 |
4TE-TO66引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 7，8 |
反向偏壓（可選） | 7（-）,8（+） |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE冷卻器供應(yīng) | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVMI-4TE-8 | PVMI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | |
波長(zhǎng)λopt（μm） | 8 | 10.6 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥8×109 | ≥3×109 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | ≥6×109 | ≥2.5×109 |
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.2 | ≥0.18 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤4 | ≤3 |
電阻R,Ω | 500-2500 | 120-500 |
元件工作溫度Tdet,K | ~195 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO8，TO66 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | wZnSeAR | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
熱敏電阻特性曲線
四級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線
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