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產(chǎn)品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器三級TE冷卻光電導探測器
三級TE冷卻光電導探測器
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
PCI-3TE系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的三級熱電冷卻紅外光電導探測器，采用光學浸沒來提高探測器的性能，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在Image時被性能好。截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。
● 可探測中紅外光波段范圍1-15μm
● 帶有三級TE冷卻以提高探測器響應度
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡，實現(xiàn)光學浸沒
● 特殊抗反射涂層，防止不必要干擾
● 可配專用的前置放大器
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | ||
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | ||
光學區(qū)域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.5 | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 5.7±0.35 | 4.8±0.35 | 3.45±0.35 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
3TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
3TE-TO66封裝尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | ||
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | ||
光學區(qū)域面積Ao；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.5 | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 6.75±0.35 | 5.85±0.35 | 4.5±0.35 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
3TE-TO66引腳定義
功能 | 引腳編號 |
探測器 | 7,8 |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE致冷供給 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2,3,4 |
● 熱成像
● FTIR光譜學
● 激光外差探測
● 中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測器型號 | |||
PCI-3TE-9 | PCI-3TE-10.6 | PCI-3TE-12 | PCI-3TE-13 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結構 | |||
峰值波長（μm） | 9.0 | 10.6 | 12.0 | 13.0 |
相對響應強度D* (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W | ≥1.0×1010 | ≥4.5×109 | ≥1.6×109 | ≥9×108 |
相對響應強度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W | ≥6.2×109 | ≥2.5×109 | ≥9×108 | ≥4.5×108 |
電流響應度-活性面積長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.7 | ≥0.17 | ≥0.07 | ≥0.03 |
時間常數(shù)T，ns | ≤60 | ≤20 | ≤5 | ≤4 |
1/f噪聲角頻率fc,Hz | ≤10k | ≤20k | ||
偏置電壓-光學區(qū)域長度比Vb/Lo,V/mm | ≤0.2 | ≤0.15 | ||
電阻R,Ω | ≤400 | ≤300 | ||
工作溫度Tdet,K | ～210 | |||
感光面尺寸Ao,mm×mm | 0.5×0.5,1×1,2×2 | |||
包裝 | TO8,TO66 | |||
接收角? | ～36° | |||
窗口 | wZnSeAR | |||
20℃探測器的光譜響應曲線
兩級TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet,K | ～210 |
Vmax,V | 3.6 |
Imax,A | 0.45 |
Qmax,W | 0.27 |
熱敏電阻特性曲線
窗口鏡抗反射涂層透過率曲線
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